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      漏源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.):

      600

      导(dǎo)通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      120

      导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      150

      最(zuì)大漏极电流Id(on)(A):

      24

      驱动(dòng)电压(V):

      10

      通道极性:

      N沟道

      封装/温度(℃):

      TO-247-3/-55~125

      描述:

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技(jì)术的功率MOSFET


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