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漏源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导(dǎo)通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 120 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 150 |
最(zuì)大漏极电流Id(on)(A): | 24 |
驱动(dòng)电压(V): | 10 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-247-3/-55~125 |
描述: | 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技(jì)术的功率MOSFET |
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